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      本項目主要針對1200V等級系列高壓大功率器件芯片技術(shù)展開研究。碳化硅（）為代表的寬禁帶半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導體器件之一，已經(jīng)成為增長潛力巨大的戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)。

      除汽車與光伏外，碳化硅器件還被廣泛應用于充電基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)、軌道交通、UPS等許多領(lǐng)域，在這些領(lǐng)域不斷發(fā)展的同時，也在持續(xù)提升器件的滲透率，讓成為了各大半導體企業(yè)的。

      氧化鎵，是繼Si、及后的第四代寬禁帶半導體材料，以β-Ga2O3單晶為基礎(chǔ)材料的功率器件具有更高的擊穿電壓與更低的導通電阻，從而擁有更低的導通損耗和更高的功率轉(zhuǎn)換效率，在功率電子器件方面具有極大的應用潛力。

       氧化鎵，是繼Si、及后的第四代寬禁帶半導體材料，以β-Ga2O3單晶為基礎(chǔ)材料的功率器件具有更高的擊穿電壓與更低的導通電阻，從而擁有更低的導通損耗和更高的功率轉(zhuǎn)換效率，在功率電子器件方面具有極大的應用潛力。

       目前功率器件主要以Si基材料為主，包括SOI高壓集成電路，隨著第三代半導體的發(fā)展，以和為代表的寬禁帶半導體材料開始成為功率半導體的新興材料。

       報道（文/）這幾年和等第三代半導體器件的商用化進展還不錯，器件在快充上開始大規(guī)模應用，器件也在汽車上嶄露頭角。現(xiàn)在大家對第三代半導體器件的前景非?？春茫芏?/p>

       成立于2018年9月，是一家碳化硅功率器件設(shè)計及方案商，致力于碳化硅和氮化鎵功率器件的設(shè)計研發(fā)與產(chǎn)品銷售。公司創(chuàng)始人深耕功率器件領(lǐng)域10余年，研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化多款功率器件已量產(chǎn)并導入國內(nèi)國外客戶。

       公司在全產(chǎn)業(yè)鏈上布局完善，有望驅(qū)動未來增長。公司通過定增加大碳化硅功率器件領(lǐng)域投資，2021年，公司依靠5億募集資金及3.98億自有資金投資碳化硅功率器件的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。公司從事芯片設(shè)計的控股子公司廣微集成在領(lǐng)域具有多年的技術(shù)積累。涉及外延片的子公司已有意向客戶，正準備外延片的生產(chǎn)。微電子（晶圓加工）計劃明年實現(xiàn)功率器件的量產(chǎn)。從事超薄片背道代工的預計在明年投產(chǎn)后開展背道減薄代工業(yè)務(wù)。